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馮文然

馮文然，男，1978年生，理學(xué)博士，教授，碩士生導(dǎo)師。2001年畢業(yè)于河北工業(yè)大學(xué)材料科學(xué)與工程專業(yè)，獲學(xué)士學(xué)位；2004年畢業(yè)于河北工業(yè)大學(xué)材料學(xué)專業(yè)，獲碩士學(xué)位；2007年畢業(yè)于中國(guó)科學(xué)院物理研究所等離子體物理專業(yè)，獲理學(xué)博士學(xué)位。同年，加入北京石油化工學(xué)院。

現(xiàn)任北京石油化工學(xué)院新材料與化工學(xué)院材料工程系副主任，材料科學(xué)與工程專業(yè)責(zé)任教授，材料科學(xué)與工程領(lǐng)域?qū)W術(shù)學(xué)位、材料與化工領(lǐng)域?qū)I(yè)學(xué)位碩士生導(dǎo)師。

從事相變儲(chǔ)能材料開發(fā)、超硬、耐蝕薄膜與涂層材料制備、光電薄膜材料及半導(dǎo)體量子點(diǎn)高性能化、器件化等應(yīng)用基礎(chǔ)研究工作。主持完成北京市自然科學(xué)基金面上項(xiàng)目1項(xiàng)，北京市組織部?jī)?yōu)秀人才項(xiàng)目1項(xiàng)、北京市教委科技計(jì)劃項(xiàng)目1項(xiàng)，主持企業(yè)橫向項(xiàng)目3項(xiàng)。以第一作者/通訊作者發(fā)表SCI論文50余篇，被引用1400余次（Google Scholar），授權(quán)發(fā)明專利4件。發(fā)表國(guó)際會(huì)議論文5篇，受邀在第四屆中日等離子體論壇上做邀請(qǐng)報(bào)告1次。作為主要完成人獲行業(yè)協(xié)會(huì)科研三等獎(jiǎng)1項(xiàng)。參編專著1部、教材1部。

I. 主要研究工作

1. 高性能相變儲(chǔ)能材料

2. 低維光電探測(cè)材料制備與性能調(diào)控

3. 超硬/耐磨薄膜與涂層材料制備及應(yīng)用

II. 承擔(dān)科研項(xiàng)目

1. 企事業(yè)單位橫向項(xiàng)目：融通地產(chǎn)基于相變儲(chǔ)能的建筑供熱技術(shù)研究服務(wù)，60萬(wàn)元，項(xiàng)目負(fù)責(zé)人，2025.1–2025.12。

2. 企事業(yè)單位橫向項(xiàng)目：高性能相變材料開發(fā)，70萬(wàn)元，項(xiàng)目負(fù)責(zé)人，2023.8–2026.8。

3. 企事業(yè)單位橫向項(xiàng)目：相變材料及相變儲(chǔ)能組件及設(shè)備開發(fā)，60萬(wàn)元，項(xiàng)目負(fù)責(zé)人，2022.12–2024.12。

4. 企事業(yè)單位橫向項(xiàng)目：紅外探測(cè)器薄膜制備技術(shù)開發(fā)，100萬(wàn)元，項(xiàng)目負(fù)責(zé)人，2015–2018；

5. 北京市自然科學(xué)基金面上項(xiàng)目：脈沖高能量密度等離子體技術(shù)合成納米晶PbSe薄膜，11萬(wàn)元，項(xiàng)目負(fù)責(zé)人，2011.1–2013.6；

6. 北京市教委科技計(jì)劃面上項(xiàng)目：螺桿泵耐磨耐蝕涂層的制備及應(yīng)用研究，項(xiàng)目負(fù)責(zé)人，2011.1–2013.12；

7. 北京市委組織部?jī)?yōu)秀人才項(xiàng)目：脈沖高能量密度等離子體合成納米晶PbSe薄膜研究，6萬(wàn)元，項(xiàng)目負(fù)責(zé)人，2009.1–2010.12。

III. 代表性學(xué)術(shù)論著

1. Zhang Xiaoke, Yuan Shiwei, Li Yongqi, Wang Zhongyang, Feng Wenran*. Efficient and green strategy of ultrasound-assisted liquid-phase exfoliation of MoS₂ nanosheets. Langmuir, 2025, 41, 15788?15795.

2. Gao Dahai, Li Yongqi, Liu Bohong, Liu Yitong, Yuan Shiwei, Wang Zhongyang, Feng Wenran*. PbSe sensitized with iodine and oxygen for high-performance photoelectronic detection. Mater. Sci. Semicond. Process., 2025, 190: 109327.

3. Feng Wenran*, Zhang Xiaoke, Hong Anni, Lang Haoze, Li Yongqi, Yuan Shiwei, Jiang Lai. One-pot synthesis, sensitization and photoelectric performance of calcium doped PbSe thin films. J. Mater. Sci.: Mater. Electron., 2024, 35: 736.

4. Gao Yan, Dong Haitao, Zhang Xiaoke, Feng Wenran*. Effects of substrate bias voltage on structural and optical properties of co-sputtered (Al_xGa_1–x)₂O₃ films. J. Electron. Mater., 2023, 52: 7429–7437.

5. 高妍，董海濤，張小可，馮文然*. (Al_xGa_1–x)₂O₃結(jié)構(gòu)、電子和光學(xué)性質(zhì)的第一性原理研究. 人工晶體學(xué)報(bào)，2023，52 (9): 1674–1719.

6. Dong Haitao, Gao Yan, Zhang Xiaoke, Li Zhen, Feng Wenran*. In-situ oxygen sensitizing PbSnSe films for high-performance photoelectronic detection. Vacuum, 2023, 207: 111538.

7. Li Zhen, Chen Yingying, Lang Haoze, Wan Jianghong, Gao Yan, Dong Haitao, Zhang Xiaoke, Feng Wenran*. Pb0.8Sn0.2Se thin films: synthesis, sensitization and properties evolution. c

8. Feng Wenran*, Li Zhen, Chen Yingying, Chen Jinyang, Lang Haoze, Wan Jianghong, Gao Yan, Dong Haitao. Enhanced photoelectric properties of PbSnSe thin films via quick oxygen ion-implantation sensitization. J. Mater. Sci., 2022, 57 (3): 1881–1889

9. Feng Wenran*, Song Jiali, Ren Yashuang, Chen Fei, Hu Jifei, Yu Sensen, Zhao Hongchun, Tang Yiyun, Huang Song. Structural and optical evolution in Pb_100–xAg_xSe (x= 3, 6, 9 and 12) thin films by chemical bath deposition J. Alloy. Compd., 770, 649–654 (2019).

10. Song Jiali, Feng Wenran*, Ren Yashuang, Zheng Danning, Dong Haitao, Zhu Ran, Yi Liya, Hu Jifei. Columnar Te-doped-PbSe thin films on glass for infrared photoelectric detection. Vacuum, 155, 1–6 (2018).

11. Feng Wenran*, Song Jiali, Ren Yashuang, Yi Liya, Hu Jifei, Zhu Ran, Dong Haitao. Structural, morphological, electrical and optical properties of PbSe thin films sputtered at various pressures. Physica E, 102, 153–159 (2018).

12. Feng Wenran*, Zhou Hai, Chen Fei. Impact of thickness on crystal structure and optical properties for thermally evaporated PbSe thin films. Vacuum, 114, 82–85 (2015).

13. Feng Wenran*, Wang Xiaoyang, Chen Fei, Liu Wan, Zhou Hai, Wang Shuo, Li Haoran. Influence of substrate temperature on structural, morphological and electrical properties of PbSe film deposited by radio frequency sputtering. Thin Solid Films, 578, 25–30 (2015).

14. Feng Wenran*, Wang Xiaoyang, Zhou Hai, Chen Fei. Effects of sputtering power on properties of PbSe nanocrystalline thin films deposited by RF magnetron sputtering. Vacuum, 109, 108–111 (2014).

15. Feng Wenran*, Zhou Hai, Yang Si-ze. Nano-indentation and wear-resistance behaviors of TiCN films by pulsed plasma, Mater. Sci. Eng., A, 527, 4767–4770 (2010).

16. Feng Wenran*, Zhou Hai, Yang Si-ze. Gas pressure dependence of composition in Ta–Ti–N films prepared by pulsed high energy density plasma. Mater. Chem. Phys., 124, 287–290 (2010).

17. Feng Wenran*, Chen Guangliang, Li Li, Lv Guohua, Zhang Xianhui, Niu Erwu, Liu Chizi, Yang Si-ze. Characteristics of (Ti,Ta)N thin films prepared by using pulsed high energy density plasma. J. Phys. D: Appl. Phys., 40, 4228–4233 (2007).

18. Feng Wenran*, Chen Guangliang, Zhang Yan, Gu Weichao, Zhang Guling, Niu Erwu, Liu Chizi, Yang Si-ze. Preparation of Ta(C)N films by pulsed high energy density plasma. J. Phys. D: Appl. Phys., 2132–2137, 40 (2007).

19. Feng Wenran*, Liu Chizi, Chen Guangliang, Zhang Guling, Gu Weichao, Niu Erwu, Yang Si-Ze. Titanium carbonitride films on cemented carbide cutting tool prepared by pulsed high energy density plasma. Appl. Surf. Sci., 253, 4923-4927 (2007).

20. Feng Wenran*, Yan Dianran, He Jining, Zhang Guling, Chen Guangliang, Gu Weichao, Yang Size. Microhardness and toughness of the reactive plasma sprayed TiN coating. Appl. Surf. Sci., 243, 204–213 (2005).

21. Feng Wenran*, Yan Dianran, He Jining, Li Xiangzhi, Dong Yanchun. Reactive plasma sprayed TiN coating and its tribological properties. Wear, 258, 806–811 (2005).

22. 馮文然*, 閻殿然，何繼寧，陳光良，顧偉超，張谷令，劉赤子，楊思澤.反應(yīng)等離子噴涂納米TiN涂層的顯微硬度及微觀結(jié)構(gòu)研究. 物理學(xué)報(bào)，54，2399–2402 (2005).

IV. 發(fā)明專利和軟件著作權(quán)

1. 馮文然，高妍，張小可，一種偏壓輔助半導(dǎo)體薄膜、制備方法及其應(yīng)用，中華人民共和國(guó)發(fā)明專利, ZL 202310361346.3，授權(quán)公告日：2023.06.20

2. 馮文然，張小可，李泳祺，苑仕煒，洪安妮，一種大尺寸MoS₂納米片及其制備方法，中華人民共和國(guó)發(fā)明專利, ZL 202311181060.3，授權(quán)公告日：2023.12.19

3. 馮文然，李珍，萬(wàn)江紅，蔡曉蕓，馬繼楠，一種離子液體修飾量子點(diǎn)的制備方法及其應(yīng)用，中華人民共和國(guó)發(fā)明專利, ZL 202111520102.2，授權(quán)公告日：2024.02.27

4. 馬繼楠，蔡曉蕓，萬(wàn)江紅，馮文然，復(fù)合相變儲(chǔ)能裝置以及儲(chǔ)能效率自動(dòng)調(diào)節(jié)方法，中華人民共和國(guó)發(fā)明專利, ZL 202111136318.9，授權(quán)公告日：2023.12.29

V. 招生信息

本人目前招收材料與化工（0856）專業(yè)學(xué)位碩士（材料工程領(lǐng)域085601）。誠(chéng)摯歡迎材料、物理、化學(xué)等專業(yè)基礎(chǔ)扎實(shí)、具有探索精神、具備較強(qiáng)動(dòng)手能力和富有好奇心的同學(xué)加入。

聯(lián)系方式：fengwenran@bipt.edu.cn